6英寸单晶硅片
生产方法:线锯切割
导电类型:P /N型
型号掺杂:P/N型掺硼、镓/磷
晶向偏差:<100>±1°
位错:无
电阻率:1~3Ω.cm
直径:150±0.5mm
边宽:125±0.5mm
片厚:200±20μm等
TTV:≤20μm
翘曲度:≤40μm
线痕:≤15μm
氧含量:≤1.0×1018 atom/cm3
体少子寿命:≥10μs
碳含量:≤5.0×1016 atom/cm3
外观:无隐裂、无沾污等
6英寸单晶硅片